Выращивание ранних огурцов в траншее

 

Поскольку выращиваемые огурцы остро нуждаются во влажной почве и воздухе, а также в повышенном содержании углекислого газа в припочвенном воздухе, весьма уместно использовать впитывающую «губку» из органического материала. Ввиду этого применяют следующий способ выращивания огурцов, в котором предлагается изменить привычную луночную технологию.
Весной надо выкопать траншею длиной 5 метров, шириной 80 см и глубиной 70 см, располагая ее по возможности с востока на запад. В тран­шею закладают «губку» из соломистого навоза или любой другой органи­ки (листва, сорняки, трава) слоем 50 см, и обильно поливают теплой во­дой. Затем слоем 20 см укладывают почвенную смесь с добавлением ком­плексных минеральных удобрений. Огурцы раньше обычных сроков вы­севают в один ряд вдоль траншеи. Расстояние между семенами 10-15 см, в дальнейшем надо прореживать до 20-25 см между растениями.
Для посева наилучше использовать гибриды первого поколения. Гибридные семена дороже обычных сортов, но стоимость гибридных семян окупается высоким урожаем и продолжительным сроком плодоношения.
Если еще очень холодно, то поначалу сверху такой траншеи можно поставить проволочные или пластмассовые дуги через каждые 50 см и накрыть их пленкой. Когда растения поднимутся, пленку убирают.
Далее по краям траншеи необходимо вкопать два столбика, на них уложить деревянную перекладину, между столбиками натянуть три ряда стальной проволоки, а потом к ней шпагатом подвязывать огуречные побеги.
Уход за растениями обычный - поливы, подкормки, удаление поста­ревших нижних листьев, регулярные сборы зеленцов. Для защиты огур­цов от болезней рекомендуется использовать препарат Агат-25 (и как фунгицид, и как стимулятор одновременно).
При таком способе выращивания огурцы получают тепло от солнца и от разлагающегося навоза, заложенного в траншею. Вместе с этим образуется и выделяется углекислый газ, столь необходимый для огурцов. Все это вместе способствует более раннему и более обильному урожаю.